微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
3期
363-365,369
,共4页
静态分频器%触发器%放大器%BiCMOS
靜態分頻器%觸髮器%放大器%BiCMOS
정태분빈기%촉발기%방대기%BiCMOS
介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器.该电路采用0.35 μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT 达21 GHz(Vce ＝1 V).该分频器在-5 V电源电压下功耗为52.5 mW,最高工作频率达到11 GHz;在-55 ℃和85 ℃温度时,最高频率仍能达到10.2 GHz;输入功率-25 dBm时,可工作在2～10 GHz的频率范围.
介紹瞭一種超高速、低功耗÷8靜態分頻器.該電路採用0.35 μm BiCMOS工藝製作,晶體管fT 達21 GHz(Vce ＝1 V).該分頻器在-5 V電源電壓下功耗為52.5 mW,最高工作頻率達到11 GHz;在-55 ℃和85 ℃溫度時,最高頻率仍能達到10.2 GHz;輸入功率-25 dBm時,可工作在2～10 GHz的頻率範圍.
개소료일충초고속、저공모÷8정태분빈기.해전로채용0.35 μm BiCMOS공예제작,정체관fT 체21 GHz(Vce ＝1 V).해분빈기재-5 V전원전압하공모위52.5 mW,최고공작빈솔체도11 GHz;재-55 ℃화85 ℃온도시,최고빈솔잉능체도10.2 GHz;수입공솔-25 dBm시,가공작재2～10 GHz적빈솔범위.
