微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
6期
338-341
,共4页
刘英斌%赵润%林琳%陈宏泰%杨红伟%崔崎
劉英斌%趙潤%林琳%陳宏泰%楊紅偉%崔崎
류영빈%조윤%림림%진굉태%양홍위%최기
光荧光扫描%多量子阱%厚度干涉条纹%透明衬底%室温
光熒光掃描%多量子阱%厚度榦涉條紋%透明襯底%室溫
광형광소묘%다양자정%후도간섭조문%투명츤저%실온
根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型.应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了AlGaInP LED结构PL扫描图的强度分布.应用透明衬底发光模型,分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案.实验结果表明,这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线,能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系,对判断材料品质有较大帮助,具有一定的实用价值.
根據光熒光譜的測試原理,針對具體的化閤物半導體材料的層次結構,歸納、總結齣兩箇實用的分析模型:光熒光譜的厚度榦涉模型和透明襯底髮光模型.應用厚度榦涉模型,對GaN外延材料、帶DBR結構的MQW材料的光熒光譜麯線進行瞭分析,併解釋瞭AlGaInP LED結構PL掃描圖的彊度分佈.應用透明襯底髮光模型,分析併解釋瞭InGaAs材料的髮光彊度圖案.實驗結果錶明,這兩箇分析模型能很好地解釋薄膜外延層的PL光譜麯線,能夠分析光熒光譜的麯線形狀和彊度分佈與材料結構及錶麵狀態的關繫,對判斷材料品質有較大幫助,具有一定的實用價值.
근거광형광보적측시원리,침대구체적화합물반도체재료적층차결구,귀납、총결출량개실용적분석모형:광형광보적후도간섭모형화투명츤저발광모형.응용후도간섭모형,대GaN외연재료、대DBR결구적MQW재료적광형광보곡선진행료분석,병해석료AlGaInP LED결구PL소묘도적강도분포.응용투명츤저발광모형,분석병해석료InGaAs재료적발광강도도안.실험결과표명,저량개분석모형능흔호지해석박막외연층적PL광보곡선,능구분석광형광보적곡선형상화강도분포여재료결구급표면상태적관계,대판단재료품질유교대방조,구유일정적실용개치.
