CAJ | 학술논문

基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了团簇(CdSe)n和(HgTe)n (原子数n=1～7)的结构和电子性质,以及团簇(CdSe)n和 (HgTe)n的最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能.结果表明:团簇(CdSe)n能隙与结合能均在n=5时出现了极小值,n=4时出现极大值;团簇(HgTe)n只是在n=4时出现了较大能隙,没有出现极小值.能隙随结合能变化而变化.比较了团簇(CdSe)n和(HgTe)n (n=4,5和7)的基态结构,发现同种结构对称性的不同团簇对应着不同的稳定性,这是导致块体材料CdSe形成闪锌矿结构和HgTe形成纤锌矿结构的原因.
기우밀도범함이론적제일성원리방법,재엄의제도근사하,계산료단족(CdSe)n화(HgTe)n (원자수n=1～7)적결구화전자성질,이급단족(CdSe)n화 (HgTe)n적최고점거궤도화최저미점거궤도적능극、결합능.결과표명:단족(CdSe)n능극여결합능균재n=5시출현료겁소치,n=4시출현겁대치;단족(HgTe)n지시재n=4시출현료교대능극,몰유출현겁소치.능극수결합능변화이변화.비교료단족(CdSe)n화(HgTe)n (n=4,5화7)적기태결구,발현동충결구대칭성적불동단족대응착불동적은정성,저시도치괴체재료CdSe형성섬자광결구화HgTe형성섬자광결구적원인.