电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2010年
3期
276-279
,共4页
刘旭光%任文芳%杨永珍%韩艳星%郭明聪%许并社
劉旭光%任文芳%楊永珍%韓豔星%郭明聰%許併社
류욱광%임문방%양영진%한염성%곽명총%허병사
内包钴的碳纳米颗粒%化学气相沉积法%制备
內包鈷的碳納米顆粒%化學氣相沉積法%製備
내포고적탄납미과립%화학기상침적법%제비
本文以乙炔为碳源,Co/NaCl作催化荆(Co含量为2wt.%),在420℃条件下用化学气相沉积(CVD)法合成内包Co的碳纳米颗粒(CNP8).采用场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和拉曼散射仪对产物进行了结构表征和分析.结果表明:反应温度为420℃时合成了大量内包Co的CNPs,这些颗粒的石墨片层大部分呈层状堆积结构;将样品在浓盐酸中浸泡48 h后,Co仍被碳壳层包覆,说明碳壳层对Co颗粒起到了保护作用,进一步将样品在900℃时进行热处理,其石墨化程度略有提高;并基于实验现象,探讨了内包Co的CNPs的生长机理,建立了本实验条件下内包Co的CNPs生长所遵循的气一固生长模型.
本文以乙炔為碳源,Co/NaCl作催化荊(Co含量為2wt.%),在420℃條件下用化學氣相沉積(CVD)法閤成內包Co的碳納米顆粒(CNP8).採用場髮射掃描電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡、X射線衍射和拉曼散射儀對產物進行瞭結構錶徵和分析.結果錶明:反應溫度為420℃時閤成瞭大量內包Co的CNPs,這些顆粒的石墨片層大部分呈層狀堆積結構;將樣品在濃鹽痠中浸泡48 h後,Co仍被碳殼層包覆,說明碳殼層對Co顆粒起到瞭保護作用,進一步將樣品在900℃時進行熱處理,其石墨化程度略有提高;併基于實驗現象,探討瞭內包Co的CNPs的生長機理,建立瞭本實驗條件下內包Co的CNPs生長所遵循的氣一固生長模型.
본문이을결위탄원,Co/NaCl작최화형(Co함량위2wt.%),재420℃조건하용화학기상침적(CVD)법합성내포Co적탄납미과립(CNP8).채용장발사소묘전자현미경、고분변투사전자현미경、X사선연사화랍만산사의대산물진행료결구표정화분석.결과표명:반응온도위420℃시합성료대량내포Co적CNPs,저사과립적석묵편층대부분정층상퇴적결구;장양품재농염산중침포48 h후,Co잉피탄각층포복,설명탄각층대Co과립기도료보호작용,진일보장양품재900℃시진행열처리,기석묵화정도략유제고;병기우실험현상,탐토료내포Co적CNPs적생장궤리,건립료본실험조건하내포Co적CNPs생장소준순적기일고생장모형.
