氨化Ga2O3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
안화Ga2O3/Pd/Sapphire박막제비GaN납미선
Synthesis of gallium nitride nanowires by ammoniating Ga2O3/Pd/sapphire films
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2010年 6期 976-979 ,共4页

    薛成山%郭永福%石锋%庄惠照%刘文军%曹玉萍%孙海波

    설성산%곽영복%석봉%장혜조%류문군%조옥평%손해파

    纳米线%GaN%磁控溅射%单晶%钯催化 納米線%GaN%磁控濺射%單晶%鈀催化
    납미선%GaN%자공천사%단정%파최화
    利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
    이용금속원소파작최화제,채용자공천사후안화법,성공적재Sapphire츤저상제비출GaN납미선.X사선연사화X사선광전자능보연구현시합성적납미선구유륙방섬자광GaN결구.통과소묘전자현미경,투사전자현미경화고분변투사전자현미경관찰분석득출GaN납미선위단정결구,기납미선적직경약위10～60nm,장도체궤십개미미.실온하이325nm파장적광격발양품표면,발현GaN대변발광봉유교약적람이.최후간단토론료GaN납미선적생장궤제.
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