微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
281-284
,共4页
功率二极管%瞬态响应%反向平衡电流源%瞬态仿真
功率二極管%瞬態響應%反嚮平衡電流源%瞬態倣真
공솔이겁관%순태향응%반향평형전류원%순태방진
从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3 A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因.通过在检测电路中采用反向平衡电流源,减小被短路的正向恒流电源对零时刻二极管瞬态响应的干扰,并利用仿真软件Silvaco-Atlas进行瞬态仿真,对结论进行了验证.
從半導體器件物理角度,分析瞭從正嚮恆定電流IF(3 A)轉變到零輸入的P+-N-N+功率二極管的瞬態響應,解釋瞭瞬態過程中電流反嚮併達到反嚮峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因.通過在檢測電路中採用反嚮平衡電流源,減小被短路的正嚮恆流電源對零時刻二極管瞬態響應的榦擾,併利用倣真軟件Silvaco-Atlas進行瞬態倣真,對結論進行瞭驗證.
종반도체기건물리각도,분석료종정향항정전류IF(3 A)전변도령수입적P+-N-N+공솔이겁관적순태향응,해석료순태과정중전류반향병체도반향봉치IR-peak(IR-peak>IF)적원인.통과재검측전로중채용반향평형전류원,감소피단로적정향항류전원대령시각이겁관순태향응적간우,병이용방진연건Silvaco-Atlas진행순태방진,대결론진행료험증.