东华大学学报（自然科学版）
東華大學學報（自然科學版）
동화대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF DONGHUA UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
2期
123-128
,共6页
邵宇光%杨沁玉%王德信%石建军%徐金洲%郭颖%张菁
邵宇光%楊沁玉%王德信%石建軍%徐金洲%郭穎%張菁
소우광%양심옥%왕덕신%석건군%서금주%곽영%장정
射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)%硅基发光薄膜%生长与结构
射頻等離子體化學氣相沉積(RF-PECVD)%硅基髮光薄膜%生長與結構
사빈등리자체화학기상침적(RF-PECVD)%규기발광박막%생장여결구
采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si-O键在1 095 cm-1处振动吸收峰强度减小,Si-Si键在613 cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.
採用射頻等離子體化學氣相沉積(RF-PECVD)技術,以SiH4和Ar的混閤氣體為源氣體,在石英玻璃襯底上製備瞭硅基髮光薄膜.利用場髮射掃描電子顯微鏡(FESEM)、X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和傅裏葉紅外光譜(FTIR)對薄膜的形貌、結構和性能進行瞭錶徵,併利用髮射光譜(OES)對薄膜等離子體生長過程進行瞭分析.研究結果錶明,隨著射頻功率的增加,等離子體髮射光譜中Hβ譜線彊度激增,薄膜的紅外光譜中Si-O鍵在1 095 cm-1處振動吸收峰彊度減小,Si-Si鍵在613 cm-1處特徵吸收峰彊度增加,說明射頻功率增加加劇瞭硅烷的裂解與氧化硅的還原,提高瞭薄膜結晶度和納米晶粒的融閤度,併降低瞭沉積薄膜的錶麵粗糙度.
채용사빈등리자체화학기상침적(RF-PECVD)기술,이SiH4화Ar적혼합기체위원기체,재석영파리츤저상제비료규기발광박막.이용장발사소묘전자현미경(FESEM)、X사선연사(XRD)、투사전자현미경(TEM)화부리협홍외광보(FTIR)대박막적형모、결구화성능진행료표정,병이용발사광보(OES)대박막등리자체생장과정진행료분석.연구결과표명,수착사빈공솔적증가,등리자체발사광보중Hβ보선강도격증,박막적홍외광보중Si-O건재1 095 cm-1처진동흡수봉강도감소,Si-Si건재613 cm-1처특정흡수봉강도증가,설명사빈공솔증가가극료규완적렬해여양화규적환원,제고료박막결정도화납미정립적융합도,병강저료침적박막적표면조조도.
