真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
1期
75-78
,共4页
王科范%刘金锋%邹崇文%徐彭寿%潘海滨%张西庚%王文君
王科範%劉金鋒%鄒崇文%徐彭壽%潘海濱%張西庚%王文君
왕과범%류금봉%추숭문%서팽수%반해빈%장서경%왕문군
电子束蒸发器 Si单晶薄膜 Ge量子点 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
電子束蒸髮器 Si單晶薄膜 Ge量子點 原子力顯微鏡(AFM) 反射高能電子衍射(RHEED)
전자속증발기 Si단정박막 Ge양자점 원자력현미경(AFM) 반사고능전자연사(RHEED)
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.
我們成功地設計齣一種新型的Si電子束蒸髮器,併將它應用于Ge/Si(111)量子點的生長.由于採用懸臂式設計,它完全剋服瞭高壓短路的問題.電子束蒸髮器的性能試驗錶明,穩定輸齣功率可以控製輸齣穩定的Si束流.應用這種電子束蒸髮器可以在700 ℃,成功沉積齣平整的單晶Si薄膜.進一步的試驗錶明,在這種緩遲層錶麵可以自組裝生長齣Ge量子點.
아문성공지설계출일충신형적Si전자속증발기,병장타응용우Ge/Si(111)양자점적생장.유우채용현비식설계,타완전극복료고압단로적문제.전자속증발기적성능시험표명,은정수출공솔가이공제수출은정적Si속류.응용저충전자속증발기가이재700 ℃,성공침적출평정적단정Si박막.진일보적시험표명,재저충완충층표면가이자조장생장출Ge양자점.
