半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
193-196
,共4页
超薄SiO2%软击穿%I-V饱和特性
超薄SiO2%軟擊穿%I-V飽和特性
초박SiO2%연격천%I-V포화특성
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.
利用電子速度飽和概唸和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究瞭超薄SiO2在第一次軟擊穿以後柵電流隨著柵電壓的變化所呈現的飽和性質.實驗證明瞭第一次軟擊穿以後柵電流隨著柵電壓變化的PDO譜峰位、峰高與電子在第一次軟擊穿通道中運動的飽和速度及飽和電流密度相關.基于缺陷散射機製,得到的第一次軟擊穿通道的橫截麵積與文獻報導的結果一緻.
이용전자속도포화개념화비례차치방법(proportional difference operator,PDO)연구료초박SiO2재제일차연격천이후책전류수착책전압적변화소정현적포화성질.실험증명료제일차연격천이후책전류수착책전압변화적PDO보봉위、봉고여전자재제일차연격천통도중운동적포화속도급포화전류밀도상관.기우결함산사궤제,득도적제일차연격천통도적횡절면적여문헌보도적결과일치.
