无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2007年
6期
1113-1116
,共4页
马全宝%叶志镇%何海平%朱丽萍%张银珠%赵炳辉
馬全寶%葉誌鎮%何海平%硃麗萍%張銀珠%趙炳輝
마전보%협지진%하해평%주려평%장은주%조병휘
ZnO:Ga%透明导电氧化物薄膜%磁控溅射%氧分压%光电特性
ZnO:Ga%透明導電氧化物薄膜%磁控濺射%氧分壓%光電特性
ZnO:Ga%투명도전양화물박막%자공천사%양분압%광전특성
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
通過直流反應磁控濺射法在玻璃襯底上製備瞭摻鎵ZnO(ZnO:Ga)透明導電薄膜,研究瞭氧分壓對ZnO:Ga透明導電薄膜結構和電光學性能的影響.X射線衍射結果錶明所製備的薄膜具有c軸擇優取嚮的六角多晶結構.ZnO:Ga透明導電薄膜的晶粒呎吋彊烈依賴于氧分壓的大小,隨著氧分壓的增大薄膜的晶粒呎吋先增大後減小,在氧分壓為0.30 Pa時沉積的ZnO:Ga薄膜半高寬最小,晶粒呎吋最大.薄膜的電阻率隨著氧分壓的增大先減小後增大,沉積薄膜的最低電阻率可達3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可見光範圍內的平均透射率均超過90%.
통과직류반응자공천사법재파리츤저상제비료참가ZnO(ZnO:Ga)투명도전박막,연구료양분압대ZnO:Ga투명도전박막결구화전광학성능적영향.X사선연사결과표명소제비적박막구유c축택우취향적륙각다정결구.ZnO:Ga투명도전박막적정립척촌강렬의뢰우양분압적대소,수착양분압적증대박막적정립척촌선증대후감소,재양분압위0.30 Pa시침적적ZnO:Ga박막반고관최소,정립척촌최대.박막적전조솔수착양분압적증대선감소후증대,침적박막적최저전조솔가체3.50×10-4Ω·cm.차외,소유ZnO:Ga박막재가견광범위내적평균투사솔균초과90%.
