CAJ | 학술논문

采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低.对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为:腔长900μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm2,内损耗低至1.0 cm-1;连续工作条件下,150μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A.器件激射波长为807.5 nm,平行和垂直结的发散角分别为3.0°和34.8°.20～70 ℃范围内特征温度达到133 K.结果表明,分别限制非对称波导结构是降低内损耗,提高大功率半导体激光器特性的有效措施.
채용분별한제비대칭파도결구,장광장종대칭분포변위비대칭분포,강저료재류자광흡수손모,병윤허p형구구유경고적참잡수평,종이사기건전조강저.대GaAsP/GaInP장응변단양자정(SQW)비대칭파도결구격광기적광장특성진행료이론분석,설계료파도층후도,병제작료파장위808 nm적무려유원구대공솔반도체격광기.기건종합특성측시결과위:강장900μm기건적역치전류밀도전형치위400 A/cm2,내손모저지1.0 cm-1;련속공작조건하,150μm조관기건수출공솔체도6 W,최대사솔효솔위1.25 W/A.기건격사파장위807.5 nm,평행화수직결적발산각분별위3.0°화34.8°.20～70 ℃범위내특정온도체도133 K.결과표명,분별한제비대칭파도결구시강저내손모,제고대공솔반도체격광기특성적유효조시.