半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
8期
1540-1543
,共4页
张璠%赵有文%董志远%张瑞%杨俊
張璠%趙有文%董誌遠%張瑞%楊俊
장번%조유문%동지원%장서%양준
ZnO%掺杂%化学气相传输%单晶
ZnO%摻雜%化學氣相傳輸%單晶
ZnO%참잡%화학기상전수%단정
研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018～lO19cm-3的n型ZnO单晶,掺人杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,znO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.
研究瞭In摻雜n型zno體單晶的化學氣相傳輸法生長和材料性質.利用霍爾效應、x射線光電子能譜、光吸收譜、喇曼散射、陰極熒光譜等手段對晶體的特性和缺陷進行r分析.摻In後容易穫得濃度為1018～lO19cm-3的n型ZnO單晶,摻人雜質的激活效率很高.隨著摻雜濃度的提高,znO單晶的帶邊吸收和電學性質等髮生明顯的變化.分析瞭摻In-ZnO單晶的缺陷及其對材料性質的影響.
연구료In참잡n형zno체단정적화학기상전수법생장화재료성질.이용곽이효응、x사선광전자능보、광흡수보、나만산사、음겁형광보등수단대정체적특성화결함진행r분석.참In후용역획득농도위1018～lO19cm-3적n형ZnO단정,참인잡질적격활효솔흔고.수착참잡농도적제고,znO단정적대변흡수화전학성질등발생명현적변화.분석료참In-ZnO단정적결함급기대재료성질적영향.
