南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2008年
6期
557-559
,共3页
万齐欣%熊志华%刘国栋%李冬梅%江风益
萬齊訢%熊誌華%劉國棟%李鼕梅%江風益
만제흔%웅지화%류국동%리동매%강풍익
ZnO%第一性原理%电子结构
ZnO%第一性原理%電子結構
ZnO%제일성원리%전자결구
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在.其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因.计算结果与其它研究者的实验结果相吻合.
採用基于密度汎函理論的第一性原理贗勢法對ZnO本徵缺陷的幾何結構、雜質形成能和電子結構進行瞭比較繫統的研究.研究錶明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在.其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未摻雜ZnO是n型半導體的原因.計算結果與其它研究者的實驗結果相吻閤.
채용기우밀도범함이론적제일성원리안세법대ZnO본정결함적궤하결구、잡질형성능화전자결구진행료비교계통적연구.연구표명,OZn、Oi화VZn이수주적형식존재;ZnO화Zni이시주적형식존재.기중,Zni적형성능최소,인차Zni적존재정시미참잡ZnO시n형반도체적원인.계산결과여기타연구자적실험결과상문합.
