信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2010年
1期
8-11
,共4页
于威%孟令海%丁文革%苑静
于威%孟令海%丁文革%苑靜
우위%맹령해%정문혁%원정
氢化非晶氮化硅%对靶磁控溅射%键合结构%光学吸收特性
氫化非晶氮化硅%對靶磁控濺射%鍵閤結構%光學吸收特性
경화비정담화규%대파자공천사%건합결구%광학흡수특성
采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15～25 Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析.结果表明,氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大,薄膜无序度最减小;薄膜的光学带隙Eg和Eo4逐渐增大.薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用.
採用對靶磁控反應濺射技術以H2和N2為反應氣體在不同氫氣流量(15～25 Sccm)條件下製備瞭氫化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,併利用傅立葉紅外透射光譜(FTIR)和紫外一可見透射光譜(UV-VIS)對薄膜的鍵閤結構和光學吸收特性進行瞭分析.結果錶明,氫氣流量20Sccm時薄膜中氫的鍵密度最大,薄膜無序度最減小;薄膜的光學帶隙Eg和Eo4逐漸增大.薄膜原子間鍵閤結構和薄膜有序性的變化可歸因于反應濺射過程中氫氣的鈍化和刻蝕作用.
채용대파자공반응천사기술이H2화N2위반응기체재불동경기류량(15～25 Sccm)조건하제비료경화비정담화규(a-SiN:H)박막,병이용부립협홍외투사광보(FTIR)화자외일가견투사광보(UV-VIS)대박막적건합결구화광학흡수특성진행료분석.결과표명,경기류량20Sccm시박막중경적건밀도최대,박막무서도최감소;박막적광학대극Eg화Eo4축점증대.박막원자간건합결구화박막유서성적변화가귀인우반응천사과정중경기적둔화화각식작용.
