真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
2期
178-182
,共5页
黄香平%肖金泉%邓宏贵%杜昊%闻火%黄荣芳%闻立时
黃香平%肖金泉%鄧宏貴%杜昊%聞火%黃榮芳%聞立時
황향평%초금천%산굉귀%두호%문화%황영방%문립시
纳晶硅%悬挂键密度%电子自旋共振%Raman光谱
納晶硅%懸掛鍵密度%電子自鏇共振%Raman光譜
납정규%현괘건밀도%전자자선공진%Raman광보
在单晶si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化.XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12～16 nm,属纳晶硅薄膜.薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大.当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3.得出最佳Ar流量值为70ml/min.
在單晶si(100)基體上利用電子迴鏇共振等離子體增彊化學氣相沉積法製備硅薄膜,併採用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自鏇共振(ESR)波譜等實驗方法研究瞭不同Ar流量下硅薄膜微結構及懸掛鍵密度的變化.XRD及TEM實驗結果得齣,製備的硅薄膜的晶粒呎吋為12～16 nm,屬納晶硅薄膜.薄膜結晶度隨鍍膜時Ar流量增大而增大,而懸掛鍵密度則先迅速減小而後緩慢增大.噹Ar流量為70 ml/min(標準狀態)時,薄膜的懸掛鍵密度達到最低值4.42×1016cm-3.得齣最佳Ar流量值為70ml/min.
재단정si(100)기체상이용전자회선공진등리자체증강화학기상침적법제비규박막,병채용X사선연사보(XRD)、투사전경(TEM)、Raman광보、전자자선공진(ESR)파보등실험방법연구료불동Ar류량하규박막미결구급현괘건밀도적변화.XRD급TEM실험결과득출,제비적규박막적정립척촌위12～16 nm,속납정규박막.박막결정도수도막시Ar류량증대이증대,이현괘건밀도칙선신속감소이후완만증대.당Ar류량위70 ml/min(표준상태)시,박막적현괘건밀도체도최저치4.42×1016cm-3.득출최가Ar류량치위70ml/min.
