红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2011年
5期
409-411,438
,共4页
李雪%邵秀梅%唐恒敬%汪洋%陈郁%龚海梅
李雪%邵秀梅%唐恆敬%汪洋%陳鬱%龔海梅
리설%소수매%당항경%왕양%진욱%공해매
近红外%焦平面%无效像元
近紅外%焦平麵%無效像元
근홍외%초평면%무효상원
采用分子束外延方法生长的PIN型InP/InGaAs/InP双异质结材料制备了正照射256×1元近红外探测器,并与128×1奇偶两路读出电路互连,制备了近红外256×1元焦平面探测器.针对近红外InGaAs焦平面探测器中的无效像元问题,通过光学显微镜、扫描电镜和电学测试将无效像元进行分类,并分析了无效像元产生的原因.研究结果表明光敏芯片较低的零偏电阻、键压过程引入的损伤和虚焊以及钝化膜侧面覆盖较薄导致了无效像元的产生,通过光敏芯片设计结构改进和钝化膜工艺优化,消除了近红外256×1元InGaAs焦平面探测器的无效像元.
採用分子束外延方法生長的PIN型InP/InGaAs/InP雙異質結材料製備瞭正照射256×1元近紅外探測器,併與128×1奇偶兩路讀齣電路互連,製備瞭近紅外256×1元焦平麵探測器.針對近紅外InGaAs焦平麵探測器中的無效像元問題,通過光學顯微鏡、掃描電鏡和電學測試將無效像元進行分類,併分析瞭無效像元產生的原因.研究結果錶明光敏芯片較低的零偏電阻、鍵壓過程引入的損傷和虛銲以及鈍化膜側麵覆蓋較薄導緻瞭無效像元的產生,通過光敏芯片設計結構改進和鈍化膜工藝優化,消除瞭近紅外256×1元InGaAs焦平麵探測器的無效像元.
채용분자속외연방법생장적PIN형InP/InGaAs/InP쌍이질결재료제비료정조사256×1원근홍외탐측기,병여128×1기우량로독출전로호련,제비료근홍외256×1원초평면탐측기.침대근홍외InGaAs초평면탐측기중적무효상원문제,통과광학현미경、소묘전경화전학측시장무효상원진행분류,병분석료무효상원산생적원인.연구결과표명광민심편교저적령편전조、건압과정인입적손상화허한이급둔화막측면복개교박도치료무효상원적산생,통과광민심편설계결구개진화둔화막공예우화,소제료근홍외256×1원InGaAs초평면탐측기적무효상원.
