固体火箭技术
固體火箭技術
고체화전기술
JOURNAL OF SOLID ROCKET TECHNOLOGY
2012年
1期
127-132
,共6页
杨星%崔红%闫联生%张强%赵景鹏
楊星%崔紅%閆聯生%張彊%趙景鵬
양성%최홍%염련생%장강%조경붕
高温处理%SiC基体%微晶形态%C/C-SiC材料%力学性能%抗氧化性能
高溫處理%SiC基體%微晶形態%C/C-SiC材料%力學性能%抗氧化性能
고온처리%SiC기체%미정형태%C/C-SiC재료%역학성능%항양화성능
采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响.结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC.温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓；SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加.处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降.1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂.C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由“尖笋状”成为“梭形”.
採用聚碳硅烷(PCS)作為先驅體,通過浸漬裂解法製備C/C-SiC材料,分彆經過1 400、1 500、1 600℃高溫處理,研究瞭不同處理溫度對SiC基體的微晶形態及C/C-SiC材料力學性能和抗氧化性能的影響.結果錶明,3種處理溫度下,SiC的晶型主要為β-SiC.溫度升高,晶粒呎吋增大,1 500℃以後生長速度減緩；SiC微晶優先沿著(111)晶麵生長,(220)和(311)晶麵的生長取嚮逐漸增加.處理溫度升高,C/C-SiC材料的彎麯彊度和剪切彊度不斷下降.1 400℃處理後,C/C-SiC材料的斷裂方式呈現齣非常明顯的韌性斷裂.C/C-SiC材料在1 500℃靜態空氣中的氧化失重率隨高溫處理溫度的升高而逐漸增大,氧化程度越來越嚴重,斷麵典型區域的氧化形貌由“尖筍狀”成為“梭形”.
채용취탄규완(PCS)작위선구체,통과침지렬해법제비C/C-SiC재료,분별경과1 400、1 500、1 600℃고온처리,연구료불동처리온도대SiC기체적미정형태급C/C-SiC재료역학성능화항양화성능적영향.결과표명,3충처리온도하,SiC적정형주요위β-SiC.온도승고,정립척촌증대,1 500℃이후생장속도감완；SiC미정우선연착(111)정면생장,(220)화(311)정면적생장취향축점증가.처리온도승고,C/C-SiC재료적만곡강도화전절강도불단하강.1 400℃처리후,C/C-SiC재료적단렬방식정현출비상명현적인성단렬.C/C-SiC재료재1 500℃정태공기중적양화실중솔수고온처리온도적승고이축점증대,양화정도월래월엄중,단면전형구역적양화형모유“첨순상”성위“사형”.
