中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2002年
3期
286-288
,共3页
硅片%紫外激光%无抗蚀膜光化学蚀刻
硅片%紫外激光%無抗蝕膜光化學蝕刻
규편%자외격광%무항식막광화학식각
研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法,使用过氧化氢(H2O2)和氟酸(HF)作为光化学媒质,使用ArF紫外激光作为光源,无需事先加工抗蚀膜,可直接在硅表面进行蚀刻.在H2O2与HF的浓度比为1.3时,蚀刻效果最佳,当激光能量密度为29 mJ/cm2, 照射脉冲数为10000次时,得到210 nm的蚀刻深度.
研究瞭一種在硅片上進行無抗蝕膜光化學蝕刻的新方法,使用過氧化氫(H2O2)和氟痠(HF)作為光化學媒質,使用ArF紫外激光作為光源,無需事先加工抗蝕膜,可直接在硅錶麵進行蝕刻.在H2O2與HF的濃度比為1.3時,蝕刻效果最佳,噹激光能量密度為29 mJ/cm2, 照射脈遲數為10000次時,得到210 nm的蝕刻深度.
연구료일충재규편상진행무항식막광화학식각적신방법,사용과양화경(H2O2)화불산(HF)작위광화학매질,사용ArF자외격광작위광원,무수사선가공항식막,가직접재규표면진행식각.재H2O2여HF적농도비위1.3시,식각효과최가,당격광능량밀도위29 mJ/cm2, 조사맥충수위10000차시,득도210 nm적식각심도.
