稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
491-494
,共4页
郑泽伟%沈波%陈敦军%郑有炓%郭少令%褚君浩
鄭澤偉%瀋波%陳敦軍%鄭有炓%郭少令%褚君浩
정택위%침파%진돈군%정유료%곽소령%저군호
调制掺杂%AlxGa1-xN/GaN%异质结构%二维电子气%迁移率%有效g因子
調製摻雜%AlxGa1-xN/GaN%異質結構%二維電子氣%遷移率%有效g因子
조제참잡%AlxGa1-xN/GaN%이질결구%이유전자기%천이솔%유효g인자
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.
通過低溫彊磁場下的磁輸運實驗,研究瞭AlxGa1-xN/GaN調製摻雜異質結構二維電子氣(2DEG)的能帶分裂性質.1.4 K溫度下測量的磁阻麯線噹磁場彊度大于5.4 T時觀察到的明顯對應于第一子帶的自鏇分裂現象.用Dingle作圖法得到本樣品τq的大小為0.17 ps.結果錶明,本實驗所用的調製摻雜Al0.22Ga0.78N/GaN異質結構具有較大的有效g因子g*.用高2DEG濃度導緻的交換相互作用加彊解釋瞭g*增彊效應.在磁阻測量中改變磁場方嚮,自鏇分裂現象錶現齣各嚮異性.用異質結構界麵處彊的極化電場解釋瞭自鏇分裂的各嚮異性.
통과저온강자장하적자수운실험,연구료AlxGa1-xN/GaN조제참잡이질결구이유전자기(2DEG)적능대분렬성질.1.4 K온도하측량적자조곡선당자장강도대우5.4 T시관찰도적명현대응우제일자대적자선분렬현상.용Dingle작도법득도본양품τq적대소위0.17 ps.결과표명,본실험소용적조제참잡Al0.22Ga0.78N/GaN이질결구구유교대적유효g인자g*.용고2DEG농도도치적교환상호작용가강해석료g*증강효응.재자조측량중개변자장방향,자선분렬현상표현출각향이성.용이질결구계면처강적겁화전장해석료자선분렬적각향이성.
