半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1264-1268
,共5页
MOS器件%HALO结构%直接隧穿电流%源/漏扩展区
MOS器件%HALO結構%直接隧穿電流%源/漏擴展區
MOS기건%HALO결구%직접수천전류%원/루확전구
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.
對溝道長度從10μm到0.13μm,柵氧化層厚度為2.5nm的HALO結構nMOS器件的直接隧穿柵電流進行瞭研究,得到瞭一箇適用于短溝道HALO結構MOS器件的直接隧穿柵電流模型.隨著溝道呎吋的縮短,源/漏擴展區佔據溝道的比例越來越大,源漏擴展區的影響不再可以忽略不計.文中攷慮瞭源/漏擴展區對直接隧穿柵電流的影響,給齣瞭適用于不同HALO摻雜劑量的超薄柵(2～4nm)短溝(0.13～0.25μm)nMOS器件的半經驗直接隧穿柵電流模擬錶達式.
대구도장도종10μm도0.13μm,책양화층후도위2.5nm적HALO결구nMOS기건적직접수천책전류진행료연구,득도료일개괄용우단구도HALO결구MOS기건적직접수천책전류모형.수착구도척촌적축단,원/루확전구점거구도적비례월래월대,원루확전구적영향불재가이홀략불계.문중고필료원/루확전구대직접수천책전류적영향,급출료괄용우불동HALO참잡제량적초박책(2～4nm)단구(0.13～0.25μm)nMOS기건적반경험직접수천책전류모의표체식.
