光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
1期
67-70
,共4页
高玉竹%龚秀英%陈涌海%吴俊
高玉竹%龔秀英%陳湧海%吳俊
고옥죽%공수영%진용해%오준
InAsSb/GaAs%熔体外延(ME)%禁带宽度%电学性质
InAsSb/GaAs%鎔體外延(ME)%禁帶寬度%電學性質
InAsSb/GaAs%용체외연(ME)%금대관도%전학성질
用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12～300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs.
用鎔體外延(ME)法在半絕緣(100)GaAs襯底上成功生長齣瞭截止波長為12 μm的InAs0.04Sb0.96外延層.傅立葉變換紅外(FTIR)透射光譜揭示,InAsSb閤金的禁帶寬度被彊烈變窄.通過分析InAs0.04Sb0.96外延層載流子濃度的溫度依存性錶明,其室溫禁帶寬度為0.105 5 eV,與透射光譜測得的數值很好地一緻.通過測量12～300 K的吸收光譜,研究瞭InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁帶寬度的溫度依存性.霍爾測量得齣300 K下樣品的電子遷移率為4.47×104 cm2/Vs,載流子濃度為8.77×1015 cm-3;77 K下電子遷移率為2.15×104 cm2/Vs,載流子濃度為1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值遷移率為4.80×104 cm2/Vs.
용용체외연(ME)법재반절연(100)GaAs츤저상성공생장출료절지파장위12 μm적InAs0.04Sb0.96외연층.부립협변환홍외(FTIR)투사광보게시,InAsSb합금적금대관도피강렬변착.통과분석InAs0.04Sb0.96외연층재류자농도적온도의존성표명,기실온금대관도위0.105 5 eV,여투사광보측득적수치흔호지일치.통과측량12～300 K적흡수광보,연구료InAs0.04Sb0.96/GaAs적금대관도적온도의존성.곽이측량득출300 K하양품적전자천이솔위4.47×104 cm2/Vs,재류자농도위8.77×1015 cm-3;77 K하전자천이솔위2.15×104 cm2/Vs,재류자농도위1.57×1015 cm-3;245 K하적봉치천이솔위4.80×104 cm2/Vs.
