压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2010年
6期
1024-1026
,共3页
罗远晟%陈松林%马平%蒲云体%朱基亮%朱建国%肖定全
囉遠晟%陳鬆林%馬平%蒲雲體%硃基亮%硃建國%肖定全
라원성%진송림%마평%포운체%주기량%주건국%초정전
薄膜%氧化铟锡(ITO)%磁控溅射%薄膜厚度
薄膜%氧化銦錫(ITO)%磁控濺射%薄膜厚度
박막%양화인석(ITO)%자공천사%박막후도
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响.试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17 Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%.
用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上製備不同薄膜厚度氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜.利用X線衍射(XRD)、透射光譜、四探針法和掃描電子顯微鏡(SEM)分析薄膜厚度(沉積時間)對ITO薄膜的結晶取嚮情況、透過率、電導率和錶麵形貌的影響.試驗結果錶明,在適噹的沉積時間(5 min)下製備的ITO薄膜具有良好的光學性能和電學性能,其方阻為17 Ω/□,在可見光區域內的平均透過率為84%.
용사빈자공천사법재파리츤저상제비불동박막후도양화인석(ITO)투명도전박막.이용X선연사(XRD)、투사광보、사탐침법화소묘전자현미경(SEM)분석박막후도(침적시간)대ITO박막적결정취향정황、투과솔、전도솔화표면형모적영향.시험결과표명,재괄당적침적시간(5 min)하제비적ITO박막구유량호적광학성능화전학성능,기방조위17 Ω/□,재가견광구역내적평균투과솔위84%.
