固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
4期
398-403
,共6页
毕中裕%简文翔%金钢%彭巍%闫娜%闵昊
畢中裕%簡文翔%金鋼%彭巍%閆娜%閔昊
필중유%간문상%금강%팽외%염나%민호
阻变存储器%低功耗%射频识别标签%高压稳压环路%电容分压
阻變存儲器%低功耗%射頻識彆標籤%高壓穩壓環路%電容分壓
조변존저기%저공모%사빈식별표첨%고압은압배로%전용분압
设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片.提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性；设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出.芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2 μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5 μA.芯片采用SMIC 0.13 μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2.
設計併實現瞭一顆適用于射頻識彆(RFID)標籤的低功耗嵌入式64-kbit阻變存儲器芯片.提齣瞭新型的帶尖峰電流控製功能的高壓穩壓電路,在提供穩定編程電壓的同時降低瞭芯片電源上的瞬態大電流,改善瞭存儲器電路的可靠性；設計瞭適用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)單元的敏感放大器,實現瞭低功耗讀齣.芯片在640 kb/s數據率下的讀功耗為2.2 μA,在5 kb/s的寫數據率下的寫功耗為18.5 μA.芯片採用SMIC 0.13 μm標準CMOS工藝製造,存儲器總麵積為0.39 mm2.
설계병실현료일과괄용우사빈식별(RFID)표첨적저공모감입식64-kbit조변존저기심편.제출료신형적대첨봉전류공제공능적고압은압전로,재제공은정편정전압적동시강저료심편전원상적순태대전류,개선료존저기전로적가고성；설계료괄용우2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)단원적민감방대기,실현료저공모독출.심편재640 kb/s수거솔하적독공모위2.2 μA,재5 kb/s적사수거솔하적사공모위18.5 μA.심편채용SMIC 0.13 μm표준CMOS공예제조,존저기총면적위0.39 mm2.
