蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响
람보석(0001)츤저상Ga침윤층대ZnO외연박막질량적영향
  • 万方数据
    中国科学G辑 중국과학G집
    SCIENCE IN CHINA(SERIES G)
    2004年 3期 290-299 ,共10页

    曾兆权%王勇%杜小龙%梅增霞%孔祥和%贾金锋%薛其坤%张泽

    증조권%왕용%두소룡%매증하%공상화%가금봉%설기곤%장택

    Ga浸润层 蓝宝石 极性 缺陷密度 ZnO RF-MBE RHEED HRXRD TEM CBED Ga浸潤層 藍寶石 極性 缺陷密度 ZnO RF-MBE RHEED HRXRD TEM CBED
    Ga침윤층 람보석 겁성 결함밀도 ZnO RF-MBE RHEED HRXRD TEM CBED
    利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE),通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属Ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜.这个Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成.反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明,该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性.详细讨论了Ga浸润层在ZnO的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用,并通过一个双层Ga原子模型分析了单一极性生长的机理.
    이용사빈등리자체보조분자속외연(RF-MBE),통과재람보석(0001)츤저상예선침적금속Ga박층적방법생장출료고질량적ZnO단정박막.저개Ga박층적인입완전억제료도치ZnO박막질량하강적선전주화도반주적형성.반사식고능전자연사(RHEED)원위관찰이급고분변X사선연사(HRXRD)、투사식전자현미(TEM)화회취속전자연사(CBED)측시표명,해박막구유흔고적정체질량화단일Zn겁성.상세토론료Ga침윤층재ZnO적겁성선택이급결함밀도적감소등방면소기적작용,병통과일개쌍층Ga원자모형분석료단일겁성생장적궤리.
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