半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
419-422
,共4页
吕凤军%斯永敏%傅国如%徐志刚
呂鳳軍%斯永敏%傅國如%徐誌剛
려봉군%사영민%부국여%서지강
光纤磁场传感器%多层膜%干涉仪
光纖磁場傳感器%多層膜%榦涉儀
광섬자장전감기%다층막%간섭의
采用磁控溅射工艺制备了TbDyFe-FeNi多层膜/光纤复合结构,并搭建M-Z干涉仪磁场检测系统对复合结构的磁敏性能进行试验测试.实验结果表明,在调制磁场频率为复合结构的固有频率的条件下,系统对磁场信号感应强度最大;系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加,添置恒定直流磁场后,系统响应信号大小明显增强.在0～48 kA/m的直流磁场范围内,干涉仪(传感臂有效长度为10 cm)信号响应灵敏度为6.05×10-5rad/(√Hz·kA·m-1);当多层膜厚度增加到5 μm时,干涉仪信号响应灵敏度变为6.07×10-5rad/(√Hz·kA·m-1).
採用磁控濺射工藝製備瞭TbDyFe-FeNi多層膜/光纖複閤結構,併搭建M-Z榦涉儀磁場檢測繫統對複閤結構的磁敏性能進行試驗測試.實驗結果錶明,在調製磁場頻率為複閤結構的固有頻率的條件下,繫統對磁場信號感應彊度最大;繫統輸齣信號大小隨調製磁場彊度線性增加,添置恆定直流磁場後,繫統響應信號大小明顯增彊.在0～48 kA/m的直流磁場範圍內,榦涉儀(傳感臂有效長度為10 cm)信號響應靈敏度為6.05×10-5rad/(√Hz·kA·m-1);噹多層膜厚度增加到5 μm時,榦涉儀信號響應靈敏度變為6.07×10-5rad/(√Hz·kA·m-1).
채용자공천사공예제비료TbDyFe-FeNi다층막/광섬복합결구,병탑건M-Z간섭의자장검측계통대복합결구적자민성능진행시험측시.실험결과표명,재조제자장빈솔위복합결구적고유빈솔적조건하,계통대자장신호감응강도최대;계통수출신호대소수조제자장강도선성증가,첨치항정직류자장후,계통향응신호대소명현증강.재0～48 kA/m적직류자장범위내,간섭의(전감비유효장도위10 cm)신호향응령민도위6.05×10-5rad/(√Hz·kA·m-1);당다층막후도증가도5 μm시,간섭의신호향응령민도변위6.07×10-5rad/(√Hz·kA·m-1).
