电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
12期
51-53
,共3页
黄永峰%李谦%黄金亮%龙永强
黃永峰%李謙%黃金亮%龍永彊
황영봉%리겸%황금량%룡영강
无机非金属材料%微波介质陶瓷%烧结助剂%烧结温度%介电性能
無機非金屬材料%微波介質陶瓷%燒結助劑%燒結溫度%介電性能
무궤비금속재료%미파개질도자%소결조제%소결온도%개전성능
研究了Bi2O3掺入对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(简写为CLST)系微波介质陶瓷介电性能的影响.用XRD和SEM研究其晶体结构及微观形貌.结果表明:Bi2O3掺入能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300 ℃降至1 200 ℃,1 200 ℃烧结2 h后,仍形成了斜方钙钛矿结构,但原有金红石相消失.掺入5 %(质量分数)Bi2O3的CLST陶瓷取得了较好的介电性能:εr 为93, tanδ为0.007 8, τf 为-29×10-6℃-1.
研究瞭Bi2O3摻入對CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(簡寫為CLST)繫微波介質陶瓷介電性能的影響.用XRD和SEM研究其晶體結構及微觀形貌.結果錶明:Bi2O3摻入能顯著降低CLST陶瓷的燒結溫度,由1 300 ℃降至1 200 ℃,1 200 ℃燒結2 h後,仍形成瞭斜方鈣鈦礦結構,但原有金紅石相消失.摻入5 %(質量分數)Bi2O3的CLST陶瓷取得瞭較好的介電性能:εr 為93, tanδ為0.007 8, τf 為-29×10-6℃-1.
연구료Bi2O3참입대CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(간사위CLST)계미파개질도자개전성능적영향.용XRD화SEM연구기정체결구급미관형모.결과표명:Bi2O3참입능현저강저CLST도자적소결온도,유1 300 ℃강지1 200 ℃,1 200 ℃소결2 h후,잉형성료사방개태광결구,단원유금홍석상소실.참입5 %(질량분수)Bi2O3적CLST도자취득료교호적개전성능:εr 위93, tanδ위0.007 8, τf 위-29×10-6℃-1.
