半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
1003-1006
,共4页
低噪声放大器%低功耗%阻抗匹配%互补型金属氧化物半导体%寄生效应
低譟聲放大器%低功耗%阻抗匹配%互補型金屬氧化物半導體%寄生效應
저조성방대기%저공모%조항필배%호보형금속양화물반도체%기생효응
给出了一种采用Γ型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L渡段的低功耗低噪声放大器.采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装.测试结果表明.在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm.当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW.
給齣瞭一種採用Γ型輸入匹配網絡的源簡併共源低譟聲放大器電路結構,分析瞭在低功耗情況下,高頻寄生效應對低譟聲放大器(LNA)輸入阻抗及譟聲特性的影響,併採用此結構設計瞭一款工作于L渡段的低功耗低譟聲放大器.採用CMOS 0.18μm工藝,設計瞭完整的ESD保護電路,併進行瞭QFN封裝.測試結果錶明.在1.57 GHz工作頻率下,該低譟聲放大器的輸入迴波損耗小于-30 dB,輸齣迴波損耗小于-14 dB,增益為15.5 dB,譟聲繫數(NF)為2.4 dB,輸入三階交調點(IIP3)約為-8 dBm.噹工作電壓為1.5 V時,功耗僅為0.9 mW.
급출료일충채용Γ형수입필배망락적원간병공원저조성방대기전로결구,분석료재저공모정황하,고빈기생효응대저조성방대기(LNA)수입조항급조성특성적영향,병채용차결구설계료일관공작우L도단적저공모저조성방대기.채용CMOS 0.18μm공예,설계료완정적ESD보호전로,병진행료QFN봉장.측시결과표명.재1.57 GHz공작빈솔하,해저조성방대기적수입회파손모소우-30 dB,수출회파손모소우-14 dB,증익위15.5 dB,조성계수(NF)위2.4 dB,수입삼계교조점(IIP3)약위-8 dBm.당공작전압위1.5 V시,공모부위0.9 mW.
