科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2006年
17期
1998-2002
,共5页
李明华%于广华%朱逢吾%曾德长%赖武彦
李明華%于廣華%硃逢吾%曾德長%賴武彥
리명화%우엄화%주봉오%증덕장%뢰무언
NiFe/FeMn%非磁隔离层%交换耦合场%晶格匹配%表面偏聚
NiFe/FeMn%非磁隔離層%交換耦閤場%晶格匹配%錶麵偏聚
NiFe/FeMn%비자격리층%교환우합장%정격필배%표면편취
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta的织构.在NiFeⅠ/FeMn界面沉积大量的Cu也不会影响FeMn层的(111)织构.与此相反,在NiFeⅠ/FeMn界面沉积少量的Bi和Ag,FeMn层的织构就会受到破坏.研究发现,这与隔离层原子的晶体结构和晶格常数有关.在Ta/NiFeⅠ/ FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜中,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ和NiFeⅡ间的交换耦合场Hex1和Hex2相对于非磁金属隔离层Bi,Ag和Cu厚度的变化关系.实验结果表明,随着非磁金属隔离层厚度的增加,Hex1的大小基本不变,保持在10.35~11.15 kA/m之间.交换偏置场Hex2随着Bi,Ag和Cu厚度的增加急剧下降并趋于平滑.当Bi,Ag和Cu的厚度分别为0.6,1.2和0.6 nm时,交换偏置场Hex2下降为0.87,0.56和0.079 kA/m.此后,随着隔离层厚度的增加交换偏置场Hex2基本不变.
採用磁控濺射方法製備瞭Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多層膜.通過X射線衍射研究瞭薄膜樣品Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta的織構.在NiFeⅠ/FeMn界麵沉積大量的Cu也不會影響FeMn層的(111)織構.與此相反,在NiFeⅠ/FeMn界麵沉積少量的Bi和Ag,FeMn層的織構就會受到破壞.研究髮現,這與隔離層原子的晶體結構和晶格常數有關.在Ta/NiFeⅠ/ FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多層膜中,研究瞭反鐵磁薄膜FeMn與鐵磁薄膜NiFeⅠ和NiFeⅡ間的交換耦閤場Hex1和Hex2相對于非磁金屬隔離層Bi,Ag和Cu厚度的變化關繫.實驗結果錶明,隨著非磁金屬隔離層厚度的增加,Hex1的大小基本不變,保持在10.35~11.15 kA/m之間.交換偏置場Hex2隨著Bi,Ag和Cu厚度的增加急劇下降併趨于平滑.噹Bi,Ag和Cu的厚度分彆為0.6,1.2和0.6 nm時,交換偏置場Hex2下降為0.87,0.56和0.079 kA/m.此後,隨著隔離層厚度的增加交換偏置場Hex2基本不變.
채용자공천사방법제비료Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta화Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta다층막.통과X사선연사연구료박막양품Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta적직구.재NiFeⅠ/FeMn계면침적대량적Cu야불회영향FeMn층적(111)직구.여차상반,재NiFeⅠ/FeMn계면침적소량적Bi화Ag,FeMn층적직구취회수도파배.연구발현,저여격리층원자적정체결구화정격상수유관.재Ta/NiFeⅠ/ FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta다층막중,연구료반철자박막FeMn여철자박막NiFeⅠ화NiFeⅡ간적교환우합장Hex1화Hex2상대우비자금속격리층Bi,Ag화Cu후도적변화관계.실험결과표명,수착비자금속격리층후도적증가,Hex1적대소기본불변,보지재10.35~11.15 kA/m지간.교환편치장Hex2수착Bi,Ag화Cu후도적증가급극하강병추우평활.당Bi,Ag화Cu적후도분별위0.6,1.2화0.6 nm시,교환편치장Hex2하강위0.87,0.56화0.079 kA/m.차후,수착격리층후도적증가교환편치장Hex2기본불변.