固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
37-39,62
,共4页
陈新宇%冯欧%蒋幼泉%许正荣%黄子乾%李拂晓
陳新宇%馮歐%蔣幼泉%許正榮%黃子乾%李拂曉
진신우%풍구%장유천%허정영%황자건%리불효
砷化镓%PIN二极管%单刀单掷%开关%单片
砷化鎵%PIN二極管%單刀單擲%開關%單片
신화가%PIN이겁관%단도단척%개관%단편
采用GaAs PIN二极管,完成1～26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10～26.5 GHz,隔离度大于37 dB.开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,(O)76 mm GaAs圆片工艺加工制作.
採用GaAs PIN二極管,完成1～26.5 GHz的單刀單擲開關單片的設計、製作.SPST開關單片帶內插損小于0.5 dB,駐波優于1.1,隔離度大于27 dB,在10～26.5 GHz,隔離度大于37 dB.開關單片採用MOCVD生長的GaAs縱嚮PIN二極管材料結構,(O)76 mm GaAs圓片工藝加工製作.
채용GaAs PIN이겁관,완성1～26.5 GHz적단도단척개관단편적설계、제작.SPST개관단편대내삽손소우0.5 dB,주파우우1.1,격리도대우27 dB,재10～26.5 GHz,격리도대우37 dB.개관단편채용MOCVD생장적GaAs종향PIN이겁관재료결구,(O)76 mm GaAs원편공예가공제작.
