电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
6期
1790-1793
,共4页
王冬冬%刘果果%刘丹%李诚瞻%刘新宇%和致经
王鼕鼕%劉果果%劉丹%李誠瞻%劉新宇%和緻經
왕동동%류과과%류단%리성첨%류신우%화치경
AlGaN/GaN%HEMTs%r栅场板%截止频率%功率密度
AlGaN/GaN%HEMTs%r柵場闆%截止頻率%功率密度
AlGaN/GaN%HEMTs%r책장판%절지빈솔%공솔밀도
基于SiC衬底成功研制X波段0.25 μm栅长带有r栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4 μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm.研究了r栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响.器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析.8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9 μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB.
基于SiC襯底成功研製X波段0.25 μm柵長帶有r柵場闆結構的AlGaN/GaN HEMT,設計場闆(field plate)長度為0.4 μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm.研究瞭r柵場闆長度及不同漏偏壓下對器件直流,小信號特性及大信號的影響.器件直流I-V及轉移特性併不依賴場闆長度變化,增加場闆長度器件擊穿電壓提高可達108 V,器件截止頻率及振盪頻率下降,輸齣功率大幅度提高,結閤器件小信號提參結果分析.8 GHz下,總柵寬1 mm,場闆長度為0.9 μm的器件,連續波輸齣功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相應線性增益10.25 dB.
기우SiC츤저성공연제X파단0.25 μm책장대유r책장판결구적AlGaN/GaN HEMT,설계장판(field plate)장도위0.4 μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm.연구료r책장판장도급불동루편압하대기건직류,소신호특성급대신호적영향.기건직류I-V급전이특성병불의뢰장판장도변화,증가장판장도기건격천전압제고가체108 V,기건절지빈솔급진탕빈솔하강,수출공솔대폭도제고,결합기건소신호제삼결과분석.8 GHz하,총책관1 mm,장판장도위0.9 μm적기건,련속파수출공솔밀도7.11 W/mm,공솔부가효솔(PAE)35.31%,상응선성증익10.25 dB.
