固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
412-416
,共5页
∑-△调制器%栅源自举%金属-绝缘体-金属电容%模数转换器
∑-△調製器%柵源自舉%金屬-絕緣體-金屬電容%模數轉換器
∑-△조제기%책원자거%금속-절연체-금속전용%모수전환기
设计了一种应用于18位高精度音频模数转换器(ADC)的三阶∑-△调制器.调制器采用2-1级联结构,优化积分器的增益来提高调制器的动态范围.采用栅源自举技术设计输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度.芯片采用中芯国际0.18 μm混合信号CMOS工艺,在单层多晶硅条件的限制下,采用MIM电容,实现了高精度的∑-△调制器电路.测试结果表明,在22.05 kHz带宽内,信噪失真比(SNDR)和动态范围(DR)分别达到90 dB和94 dB.
設計瞭一種應用于18位高精度音頻模數轉換器(ADC)的三階∑-△調製器.調製器採用2-1級聯結構,優化積分器的增益來提高調製器的動態範圍.採用柵源自舉技術設計輸入信號採樣開關,有效提高瞭採樣電路的線性度.芯片採用中芯國際0.18 μm混閤信號CMOS工藝,在單層多晶硅條件的限製下,採用MIM電容,實現瞭高精度的∑-△調製器電路.測試結果錶明,在22.05 kHz帶寬內,信譟失真比(SNDR)和動態範圍(DR)分彆達到90 dB和94 dB.
설계료일충응용우18위고정도음빈모수전환기(ADC)적삼계∑-△조제기.조제기채용2-1급련결구,우화적분기적증익래제고조제기적동태범위.채용책원자거기술설계수입신호채양개관,유효제고료채양전로적선성도.심편채용중심국제0.18 μm혼합신호CMOS공예,재단층다정규조건적한제하,채용MIM전용,실현료고정도적∑-△조제기전로.측시결과표명,재22.05 kHz대관내,신조실진비(SNDR)화동태범위(DR)분별체도90 dB화94 dB.
