电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
2期
139-141
,共3页
韩小林%黎威志%袁凯%蒋亚东
韓小林%黎威誌%袁凱%蔣亞東
한소림%려위지%원개%장아동
低频PECVD%氮化硅%应力%薄膜生长
低頻PECVD%氮化硅%應力%薄膜生長
저빈PECVD%담화규%응력%박막생장
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺,在不同射频功率,不同反应气压条件下制备了氮化硅薄膜.研究了低频工艺中氮化硅薄膜的沉积速率、应力以及厚度均匀性与其二者的关系.结果表明,射频功率的改变直接影响到离子对衬底的轰击效应,而反应气压的改变影响气体分子的平均自由程.离子轰击效应和分子平均自由程对氮化硅薄膜的生长过程产生影响,从而影响沉积速率、应力以及厚度均匀性等基本性质.
利用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)工藝,在不同射頻功率,不同反應氣壓條件下製備瞭氮化硅薄膜.研究瞭低頻工藝中氮化硅薄膜的沉積速率、應力以及厚度均勻性與其二者的關繫.結果錶明,射頻功率的改變直接影響到離子對襯底的轟擊效應,而反應氣壓的改變影響氣體分子的平均自由程.離子轟擊效應和分子平均自由程對氮化硅薄膜的生長過程產生影響,從而影響沉積速率、應力以及厚度均勻性等基本性質.
이용등리자체증강화학기상침적(PECVD)공예,재불동사빈공솔,불동반응기압조건하제비료담화규박막.연구료저빈공예중담화규박막적침적속솔、응력이급후도균균성여기이자적관계.결과표명,사빈공솔적개변직접영향도리자대츤저적굉격효응,이반응기압적개변영향기체분자적평균자유정.리자굉격효응화분자평균자유정대담화규박막적생장과정산생영향,종이영향침적속솔、응력이급후도균균성등기본성질.
