人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
6期
1460-1466
,共7页
王永宝%李明伟%程旻%潘翠连%宋洁
王永寶%李明偉%程旻%潘翠連%宋潔
왕영보%리명위%정민%반취련%송길
ZTS晶体%亚稳区%诱导期%成核%溶液稳定性
ZTS晶體%亞穩區%誘導期%成覈%溶液穩定性
ZTS정체%아은구%유도기%성핵%용액은정성
研究了L-精氨酸掺杂下硫脲硫酸锌(ZTS)溶液中的成核过程,测量了在不同掺杂浓度下ZTS溶液的亚稳区和诱导期.结果表明:随掺杂浓度的增加,溶液的亚稳区变宽,诱导期增大；根据经典成核理论计算了晶体的成核热、动力学参数,分析了溶液稳定性与掺杂浓度的关系,即随着L-精氨酸掺杂浓度的增加,溶液的稳定性得到明显提高.利用化学腐蚀法对ZTS晶体(100)面进行了腐蚀,并用光学显微镜对腐蚀面进行观察,得到了清晰的位错蚀坑.当L-精氨酸掺杂浓度为1.5mol％时,ZTS晶体(100)面位错蚀坑密度最小,适合高光学质量晶体的生长.
研究瞭L-精氨痠摻雜下硫脲硫痠鋅(ZTS)溶液中的成覈過程,測量瞭在不同摻雜濃度下ZTS溶液的亞穩區和誘導期.結果錶明:隨摻雜濃度的增加,溶液的亞穩區變寬,誘導期增大；根據經典成覈理論計算瞭晶體的成覈熱、動力學參數,分析瞭溶液穩定性與摻雜濃度的關繫,即隨著L-精氨痠摻雜濃度的增加,溶液的穩定性得到明顯提高.利用化學腐蝕法對ZTS晶體(100)麵進行瞭腐蝕,併用光學顯微鏡對腐蝕麵進行觀察,得到瞭清晰的位錯蝕坑.噹L-精氨痠摻雜濃度為1.5mol％時,ZTS晶體(100)麵位錯蝕坑密度最小,適閤高光學質量晶體的生長.
연구료L-정안산참잡하류뇨류산자(ZTS)용액중적성핵과정,측량료재불동참잡농도하ZTS용액적아은구화유도기.결과표명:수참잡농도적증가,용액적아은구변관,유도기증대；근거경전성핵이론계산료정체적성핵열、동역학삼수,분석료용액은정성여참잡농도적관계,즉수착L-정안산참잡농도적증가,용액적은정성득도명현제고.이용화학부식법대ZTS정체(100)면진행료부식,병용광학현미경대부식면진행관찰,득도료청석적위착식갱.당L-정안산참잡농도위1.5mol％시,ZTS정체(100)면위착식갱밀도최소,괄합고광학질량정체적생장.
