发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
5期
492-498
,共7页
刘贺%温淑敏%赵春旺%哈斯花
劉賀%溫淑敏%趙春旺%哈斯花
류하%온숙민%조춘왕%합사화
量子阱%压力%屏蔽%结合能
量子阱%壓力%屏蔽%結閤能
양자정%압력%병폐%결합능
对GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统,考虑压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算这两种系统中的杂质态结合能.给出了结合能随阱宽和压力的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,结合能随压力增大而增大,随阱宽增大而减小；屏蔽效应随着压力的增加而增加,并且显著降低了杂质态的结合能.
對GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN無限深量子阱繫統,攷慮壓力及屏蔽效應,利用變分方法數值計算這兩種繫統中的雜質態結閤能.給齣瞭結閤能隨阱寬和壓力的變化關繫,同時討論瞭有無屏蔽時的區彆.結果錶明,結閤能隨壓力增大而增大,隨阱寬增大而減小；屏蔽效應隨著壓力的增加而增加,併且顯著降低瞭雜質態的結閤能.
대GaAs/AlxGa1-xAs화GaN/AlxGa1-xN무한심양자정계통,고필압력급병폐효응,이용변분방법수치계산저량충계통중적잡질태결합능.급출료결합능수정관화압력적변화관계,동시토론료유무병폐시적구별.결과표명,결합능수압력증대이증대,수정관증대이감소；병폐효응수착압력적증가이증가,병차현저강저료잡질태적결합능.
