基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究
기우In2O3막HSGFET형공함수O3전감기적연구
HSGFET WORK FUNCTION OZONE SENSORS BASED ON In2O3 LAYERS
  • 万方数据
    南开大学学报(自然科学版) 남개대학학보(자연과학판)
    ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS NANKAIENSIS
    2002年 2期 19-22 ,共4页

    牛文成%俞梅%周雅光%张福海%李华伟%贾云芳%那兴波%罗伟栋

    우문성%유매%주아광%장복해%리화위%가운방%나흥파%라위동

    In2O3膜%HSGFET型%功函数%O3传感器 In2O3膜%HSGFET型%功函數%O3傳感器
    In2O3막%HSGFET형%공함수%O3전감기
    本文以In2O3及其混合物为敏感材料,采用悬浮栅结构和功函数方法,研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器,并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等.
    본문이In2O3급기혼합물위민감재료,채용현부책결구화공함수방법,연구출가재실온하공작적HSGFET형공함수O3전감기,병급출전감기대O3향응곡선이급실험결과적이론분석등.
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