光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2000年
3期
142-146
,共5页
衡成林%王孙涛%秦国刚%王敬%王永鸿%陈坚邦%濮玉梅%陈晶
衡成林%王孫濤%秦國剛%王敬%王永鴻%陳堅邦%濮玉梅%陳晶
형성림%왕손도%진국강%왕경%왕영홍%진견방%복옥매%진정
拉曼散射%超晶格%高分辨率电镜%磁控溅射
拉曼散射%超晶格%高分辨率電鏡%磁控濺射
랍만산사%초정격%고분변솔전경%자공천사
我们采用射频磁控溅射方法在p-Si衬底上成功地制备出四周期的非晶GaAs/SiO2超晶格,并取得其高分辨率电镜像.以800℃快速退火方法使超晶格中非晶的GaAs层局部晶化.利用Raman散射谱研究了其结构变化.
我們採用射頻磁控濺射方法在p-Si襯底上成功地製備齣四週期的非晶GaAs/SiO2超晶格,併取得其高分辨率電鏡像.以800℃快速退火方法使超晶格中非晶的GaAs層跼部晶化.利用Raman散射譜研究瞭其結構變化.
아문채용사빈자공천사방법재p-Si츤저상성공지제비출사주기적비정GaAs/SiO2초정격,병취득기고분변솔전경상.이800℃쾌속퇴화방법사초정격중비정적GaAs층국부정화.이용Raman산사보연구료기결구변화.
