微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
2期
192-195
,共4页
潘飞蹊%俞铁刚%郭超%陈卫东
潘飛蹊%俞鐵剛%郭超%陳衛東
반비혜%유철강%곽초%진위동
带隙基准源%过温保护%电压-电流转换%共栅共源结构
帶隙基準源%過溫保護%電壓-電流轉換%共柵共源結構
대극기준원%과온보호%전압-전류전환%공책공원결구
设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路.基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路.
設計瞭一種適用于P阱CMOS工藝的高精度帶隙基準源及過溫保護電路.基準源信號輸齣由兩路電流相加實現:一路是正比于雙極晶體管的髮射極-基極電壓的電流(IVBE),另一路是基準源內產生的正比于絕對溫度的電流(IPTAT);同時,利用這兩路電流的不同溫度特性,通過直接電流比較的方法,簡單地實現瞭高精度的過溫保護電路.
설계료일충괄용우P정CMOS공예적고정도대극기준원급과온보호전로.기준원신호수출유량로전류상가실현:일로시정비우쌍겁정체관적발사겁-기겁전압적전류(IVBE),령일로시기준원내산생적정비우절대온도적전류(IPTAT);동시,이용저량로전류적불동온도특성,통과직접전류비교적방법,간단지실현료고정도적과온보호전로.
