半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
5期
896-899
,共4页
游达%汤英文%赵德刚%许金通%徐运华%龚海梅
遊達%湯英文%趙德剛%許金通%徐運華%龔海梅
유체%탕영문%조덕강%허금통%서운화%공해매
p-i-n%AlGaN%量子效率%响应光谱
p-i-n%AlGaN%量子效率%響應光譜
p-i-n%AlGaN%양자효솔%향응광보
研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.
研究瞭Al0.1Ga0.9N/GaN異質結p-i-n結構可見盲紫外探測器的製備與性能.p區採用Al組分含量為0.1的AlGaN外延材料形成窗口層,使340～365nm波段的紫外光可以直接透過p區到達i區併被吸收,有效提高瞭這箇波段的響應率與量子效率.併且研究瞭不同p區AlGaN外延層厚度對探測器性能的影響,製備瞭兩種不同p區厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,測試結果錶明,p區的厚度對200～340nm波段光吸收的量子效率影響較大,而i區的晶體質量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.併且噹p區AlGaN厚度為0.15μm時,器件的峰值響應率達到0.214A/W,在攷慮錶麵反射時外量子效率高達85.6%,接近理論極限,併且在零偏壓時暗電流密度為3.16nA/cm2,錶明器件具有非常高的信譟比.
연구료Al0.1Ga0.9N/GaN이질결p-i-n결구가견맹자외탐측기적제비여성능.p구채용Al조분함량위0.1적AlGaN외연재료형성창구층,사340～365nm파단적자외광가이직접투과p구도체i구병피흡수,유효제고료저개파단적향응솔여양자효솔.병차연구료불동p구AlGaN외연층후도대탐측기성능적영향,제비료량충불동p구후도(0.1μm화0.15μm)적기건,측시결과표명,p구적후도대200～340nm파단광흡수적양자효솔영향교대,이i구적정체질량적제고가이유효제고340～365nm파단광흡수적양자효솔.병차당p구AlGaN후도위0.15μm시,기건적봉치향응솔체도0.214A/W,재고필표면반사시외양자효솔고체85.6%,접근이론겁한,병차재령편압시암전류밀도위3.16nA/cm2,표명기건구유비상고적신조비.
