金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2006年
9期
979-982
,共4页
王立锦%张辉%滕蛟%朱逢吾
王立錦%張輝%滕蛟%硃逢吾
왕립금%장휘%등교%주봉오
Ni65Co35 薄膜%Ta 种子层%各向异性磁电阻%织构
Ni65Co35 薄膜%Ta 種子層%各嚮異性磁電阻%織構
Ni65Co35 박막%Ta 충자층%각향이성자전조%직구
用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.
用直流磁控濺射方法製備瞭Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)雙層薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究瞭Ta種子層不同製備工藝條件對Ni65Co35(40 nm)薄膜的各嚮異性磁電阻(AMR)和矯頑力的影響;通過X射線衍射(XRD)對Ni65Co35薄膜的微結構進行瞭分析.結果錶明,適噹的Ta種子層的厚度和較高的濺射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)織構形成,併能顯著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁傳感元件的靈敏度.
용직류자공천사방법제비료Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)쌍층박막(x=0,1,2,3,4,5 nm),연구료Ta충자층불동제비공예조건대Ni65Co35(40 nm)박막적각향이성자전조(AMR)화교완력적영향;통과X사선연사(XRD)대Ni65Co35박막적미결구진행료분석.결과표명,괄당적Ta충자층적후도화교고적천사속솔유리우Ni65Co35박막(111)직구형성,병능현저제고Ni65Co35막박적AMR치화자전감원건적령민도.
