固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
138-142
,共5页
达小丽%郭霞%关宝璐%董立闽%沈光地
達小麗%郭霞%關寶璐%董立閩%瀋光地
체소려%곽하%관보로%동립민%침광지
氮化硅%应力%等离子体增强化学气相沉积%腔室压力%射频功率
氮化硅%應力%等離子體增彊化學氣相沉積%腔室壓力%射頻功率
담화규%응력%등리자체증강화학기상침적%강실압력%사빈공솔
研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系.通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,表明即使应用高频(13.56MHz)作为激励源同样可以沉积出呈现压应力的氮化硅薄膜.并使用角度可变光谱型椭偏仪观察了薄膜的厚度和低应力氮化硅膜的mapping图,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对不同应力状态下的氮化硅膜的化学键结构进行了分析.
研究瞭在等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)法製備氮化硅薄膜時,射頻功率和腔室壓力對氮化硅薄膜應力的影響以及應力與沉積速率的關繫.通常認為高頻下製備得到的氮化硅膜呈現張應力,但是通過實驗,錶明即使應用高頻(13.56MHz)作為激勵源同樣可以沉積齣呈現壓應力的氮化硅薄膜.併使用角度可變光譜型橢偏儀觀察瞭薄膜的厚度和低應力氮化硅膜的mapping圖,利用傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)對不同應力狀態下的氮化硅膜的化學鍵結構進行瞭分析.
연구료재등리자체증강화학기상침적(PECVD)법제비담화규박막시,사빈공솔화강실압력대담화규박막응력적영향이급응력여침적속솔적관계.통상인위고빈하제비득도적담화규막정현장응력,단시통과실험,표명즉사응용고빈(13.56MHz)작위격려원동양가이침적출정현압응력적담화규박막.병사용각도가변광보형타편의관찰료박막적후도화저응력담화규막적mapping도,이용부립협변환홍외광보의(FTIR)대불동응력상태하적담화규막적화학건결구진행료분석.
