光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
3期
145-151
,共7页
光通信%滤波%传输矩阵%光子晶体%透射带
光通信%濾波%傳輸矩陣%光子晶體%透射帶
광통신%려파%전수구진%광자정체%투사대
构造了形如(AB)N1(BA)N2的具有对称结构的一维三元光子晶体,并利用光子晶体的传输矩阵法进行了数值计算.发现这种对称结构的光子晶体透射谱中主禁带内存在极窄的单透射峰,与在这种对称结构的光子晶体中引入一定尺寸范围的缺陷层有相似的效果,并分析了这种光子晶体主禁带内的透射峰位置λ,起始位置λ1和终止位置λ2随所取周期数Ni(i=1,2)、折射率nj(j=1,2,3)和厚度a、b、c的变化规律,得出在小范围内可以近似认为它们均成线性变化和N1=N2=7为理论最优化周期数的结论.利用这些性质在一束波长范围在2280~2396 nm的混合光中,用折射率n1为1.378、厚度a为159 nm的氟化镁,折射率n2为2.356、厚度b为200 nm.的硫化锌,以及折射率n3为4.100、厚度c为400 nm的碲化铅为光子晶体材料,通过调节参数变化,提取出了需要的波长为2351 nm的光,滤波效果很好.
構造瞭形如(AB)N1(BA)N2的具有對稱結構的一維三元光子晶體,併利用光子晶體的傳輸矩陣法進行瞭數值計算.髮現這種對稱結構的光子晶體透射譜中主禁帶內存在極窄的單透射峰,與在這種對稱結構的光子晶體中引入一定呎吋範圍的缺陷層有相似的效果,併分析瞭這種光子晶體主禁帶內的透射峰位置λ,起始位置λ1和終止位置λ2隨所取週期數Ni(i=1,2)、摺射率nj(j=1,2,3)和厚度a、b、c的變化規律,得齣在小範圍內可以近似認為它們均成線性變化和N1=N2=7為理論最優化週期數的結論.利用這些性質在一束波長範圍在2280~2396 nm的混閤光中,用摺射率n1為1.378、厚度a為159 nm的氟化鎂,摺射率n2為2.356、厚度b為200 nm.的硫化鋅,以及摺射率n3為4.100、厚度c為400 nm的碲化鉛為光子晶體材料,通過調節參數變化,提取齣瞭需要的波長為2351 nm的光,濾波效果很好.
구조료형여(AB)N1(BA)N2적구유대칭결구적일유삼원광자정체,병이용광자정체적전수구진법진행료수치계산.발현저충대칭결구적광자정체투사보중주금대내존재겁착적단투사봉,여재저충대칭결구적광자정체중인입일정척촌범위적결함층유상사적효과,병분석료저충광자정체주금대내적투사봉위치λ,기시위치λ1화종지위치λ2수소취주기수Ni(i=1,2)、절사솔nj(j=1,2,3)화후도a、b、c적변화규률,득출재소범위내가이근사인위타문균성선성변화화N1=N2=7위이론최우화주기수적결론.이용저사성질재일속파장범위재2280~2396 nm적혼합광중,용절사솔n1위1.378、후도a위159 nm적불화미,절사솔n2위2.356、후도b위200 nm.적류화자,이급절사솔n3위4.100、후도c위400 nm적제화연위광자정체재료,통과조절삼수변화,제취출료수요적파장위2351 nm적광,려파효과흔호.