电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
2期
361-363,367
,共4页
无线传感器网络SoC%上混频器%低功耗
無線傳感器網絡SoC%上混頻器%低功耗
무선전감기망락SoC%상혼빈기%저공모
介绍了一种采用SMIC 0.18μm RFCMOS 工艺,设计了一种应用于2.4GHz无线传感器网络SoC芯片的射频发射机上混频器模块电路单元,其中转换增益为-6.3 dB,输入1 dB压缩点为-4.6 dBm.工作电压为1.8 V,功耗为5.4 mW,工作频率范围为2.4～2.483 5 GHz,工作温度范围为-20～+80℃低功耗的上混频器.上混频器芯片的面积为0.56 mm2.
介紹瞭一種採用SMIC 0.18μm RFCMOS 工藝,設計瞭一種應用于2.4GHz無線傳感器網絡SoC芯片的射頻髮射機上混頻器模塊電路單元,其中轉換增益為-6.3 dB,輸入1 dB壓縮點為-4.6 dBm.工作電壓為1.8 V,功耗為5.4 mW,工作頻率範圍為2.4～2.483 5 GHz,工作溫度範圍為-20～+80℃低功耗的上混頻器.上混頻器芯片的麵積為0.56 mm2.
개소료일충채용SMIC 0.18μm RFCMOS 공예,설계료일충응용우2.4GHz무선전감기망락SoC심편적사빈발사궤상혼빈기모괴전로단원,기중전환증익위-6.3 dB,수입1 dB압축점위-4.6 dBm.공작전압위1.8 V,공모위5.4 mW,공작빈솔범위위2.4～2.483 5 GHz,공작온도범위위-20～+80℃저공모적상혼빈기.상혼빈기심편적면적위0.56 mm2.
