中国表面工程
中國錶麵工程
중국표면공정
CHINA SURFACE ENGINEERING
2010年
3期
25-28
,共4页
李春雷%庄大明%张弓%宋军
李春雷%莊大明%張弓%宋軍
리춘뢰%장대명%장궁%송군
太阳能电池%CIGSe%磁控溅射%预制膜%CuInGa
太暘能電池%CIGSe%磁控濺射%預製膜%CuInGa
태양능전지%CIGSe%자공천사%예제막%CuInGa
作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备.文中采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜.X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射电流的增加,CuIn预制膜的Cu/In原子比减小,CuGa预制膜的Cu/Ga原子比保持不变;X射线衍射分析(XRD)结果表明CuIn、CuInGa预制膜主要由Cu2In、CuIn、In相组成,Ga元素以固溶的形式存在于CuInGa预制膜中.对于CuIn预制膜,随着溅射电流的增加,薄膜中的Cu2In相逐渐向CuIn转变.
作為CIGSe太暘能電池重要組成部分的CIGSe吸收層可以採用預製膜+硒化兩步法製備.文中採用磁控濺射方法製備瞭成分均勻、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa預製膜.X射線熒光分析(XRF)結果顯示隨著濺射電流的增加,CuIn預製膜的Cu/In原子比減小,CuGa預製膜的Cu/Ga原子比保持不變;X射線衍射分析(XRD)結果錶明CuIn、CuInGa預製膜主要由Cu2In、CuIn、In相組成,Ga元素以固溶的形式存在于CuInGa預製膜中.對于CuIn預製膜,隨著濺射電流的增加,薄膜中的Cu2In相逐漸嚮CuIn轉變.
작위CIGSe태양능전지중요조성부분적CIGSe흡수층가이채용예제막+서화량보법제비.문중채용자공천사방법제비료성분균균、구유일정성분비례적CuIn、CuGa、CuInGa예제막.X사선형광분석(XRF)결과현시수착천사전류적증가,CuIn예제막적Cu/In원자비감소,CuGa예제막적Cu/Ga원자비보지불변;X사선연사분석(XRD)결과표명CuIn、CuInGa예제막주요유Cu2In、CuIn、In상조성,Ga원소이고용적형식존재우CuInGa예제막중.대우CuIn예제막,수착천사전류적증가,박막중적Cu2In상축점향CuIn전변.
