CMOS伪差分E类射频功率放大器设计
CMOS위차분E류사빈공솔방대기설계
Design of the Pseudo-differential Class-E RF Power Amplifier in CMOS Process
  • 万方数据
    电子科技 전자과기
    IT AGE
    2010年 10期 49-52 ,共4页

    罗志聪%黄世震

    라지총%황세진

    伪差分E类%射频功率放大器%Load pull技术%寄生电感%CMOS 偽差分E類%射頻功率放大器%Load pull技術%寄生電感%CMOS
    위차분E류%사빈공솔방대기%Load pull기술%기생전감%CMOS
    分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响.最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器.在电源电压1.8 V,温度25℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%.
    분석료E류공방적비이상인소,기중착중분석기생전감대계통성능적영향,채용위차분E류공방결구유효지억제기생전감적영향.최후기우이상적설계방정화Load Pull기술,채용0.18μm CMOS공예,설계출고효솔적차분E류공솔방대기.재전원전압1.8 V,온도25℃,수입신호0 dBm조건하,구유최대수출공솔26.1 dBm,PAE위60.2%.
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