表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2012年
3期
19-21,25
,共4页
氮氩气压比%氮化钛薄膜%织构%磁控溅射
氮氬氣壓比%氮化鈦薄膜%織構%磁控濺射
담아기압비%담화태박막%직구%자공천사
采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向.对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌.结果表明:氮氩流量比低于1:30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN061相;(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1:60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好.
採用直流反應磁控濺射法,通過控製氮氬流量比,在Si(111)襯底上沉積瞭TiN薄膜,併用織構繫數來量化TiN薄膜的生長取嚮.對TiN薄膜的織構、物相組成、形貌進行錶徵,分析瞭濺射沉積過程中氮氬流量比對TiN薄膜生長織構的影響,同時還分析瞭不同織構薄膜的錶麵及截麵形貌.結果錶明:氮氬流量比低于1:30時,薄膜的織構由(200)轉變為(111),同時還齣現瞭TiN061相;(111)織構的薄膜錶麵均勻,緻密性好,粗糙度小,以氮氬流量比為1:60時所得織構繫數為1.63的(111)薄膜最好.
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