半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
415-418
,共4页
吴涛%杜刚%刘晓彦%康晋锋%韩汝琦
吳濤%杜剛%劉曉彥%康晉鋒%韓汝琦
오도%두강%류효언%강진봉%한여기
MOSFET%应力%深亚微米%形变势垒模型
MOSFET%應力%深亞微米%形變勢壘模型
MOSFET%응력%심아미미%형변세루모형
利用ISE DESSIS器件模拟工具,模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.
利用ISE DESSIS器件模擬工具,模擬瞭納米呎度的MOSFETs器件溝道中存在應力時的器件特性,分析瞭應力大小和方嚮髮生變化對MOSFET的閾值電壓、亞閾特性等器件特性的影響.
이용ISE DESSIS기건모의공구,모의료납미척도적MOSFETs기건구도중존재응력시적기건특성,분석료응력대소화방향발생변화대MOSFET적역치전압、아역특성등기건특성적영향.
