4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析
4H-SiC(004)면쌍정연사요파곡선적분석
Analysis on 4H-SiC (004) Plane by Double Crystal X-Ray Diffraction
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2007年 7期 581-584 ,共4页

    马永强%武一宾%杨瑞霞%齐国虎%李若凡%商耀辉%陈昊%牛晨亮

    마영강%무일빈%양서하%제국호%리약범%상요휘%진호%우신량

    X射线双晶衍射%摇摆曲线%4H-SiC%双层原子结构 X射線雙晶衍射%搖襬麯線%4H-SiC%雙層原子結構
    X사선쌍정연사%요파곡선%4H-SiC%쌍층원자결구
    用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响.
    용X사선쌍정연사법(XRD)대4H-SiC츤저화재해츤저상외연생장적4H-SiC단정양품(004)면진행측시,재소유양품적측시결과중발현,요파곡선주봉좌측160″부근균출현방견,병차주봉연사강도야교저.의거X사선연사이론대계통사선재측시양품(004)면적연사봉위전관진행계산,병대4H-SiC원자결구진행료분석.연구결과증실,요파곡선중방견적존재여사선원중적Ka2사선삼여연사유관,이상대교저적연사강도수기(004)면적특수쌍층원자결구적영향.
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