稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2008年
z1期
797-799
,共3页
朱云洲%黄政仁%董绍明%袁明%江东亮
硃雲洲%黃政仁%董紹明%袁明%江東亮
주운주%황정인%동소명%원명%강동량
化学气相沉积%SiC涂层%HMDS
化學氣相沉積%SiC塗層%HMDS
화학기상침적%SiC도층%HMDS
以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系.
以六甲基二硅胺烷(HMDS)作為硅源和碳源,H2為載氣,Ar為稀釋氣體,前驅體由載氣通過鼓泡法帶入反應室,通過等溫化學氣相滲透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纖維錶麵沉積SiC塗層.通過控製沉積溫度來控製塗層的錶麵形貌、厚度.研究錶明,在1100℃沉積的塗層中開始有β-SiC晶相析齣,適噹降低沉積溫度至950℃可以防止殘餘碳在反應室的富集,在950℃時SiC的沉積厚度與沉積時間呈近線性關繫.
이륙갑기이규알완(HMDS)작위규원화탄원,H2위재기,Ar위희석기체,전구체유재기통과고포법대입반응실,통과등온화학기상삼투법(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)재SiC섬유표면침적SiC도층.통과공제침적온도래공제도층적표면형모、후도.연구표명,재1100℃침적적도층중개시유β-SiC정상석출,괄당강저침적온도지950℃가이방지잔여탄재반응실적부집,재950℃시SiC적침적후도여침적시간정근선성관계.
