微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
10期
577-579,585
,共4页
纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管%击穿电压%结终端扩展%终端结构%外延层厚度和掺杂浓度
縱嚮雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管%擊穿電壓%結終耑擴展%終耑結構%外延層厚度和摻雜濃度
종향쌍확산금속양화물반도체장효응정체관%격천전압%결종단확전%종단결구%외연층후도화참잡농도
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构.讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压.设计了800 V、6 A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882 V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值.
通過理論計算,優化瞭外延層厚度和摻雜濃度,對影響擊穿電壓的相關結構參數進行設計,探討瞭VDMOSFET的終耑結構.討論瞭場限環和結終耑擴展技術,提齣瞭終耑多區設計思路,提高瞭新型結構VDMOSFET的漏源擊穿電壓.設計瞭800 V、6 A功率VDMOSFET,同場限環技術相比,優化的結終耑擴展技術,節省芯片麵積10.6%,而不增加工藝流程,漏源擊穿電壓高達882 V,提高瞭3%,由于芯片麵積的縮小,平均芯片中測閤格率提高5%,達到瞭預期目的,具有很好的經濟價值.
통과이론계산,우화료외연층후도화참잡농도,대영향격천전압적상관결구삼수진행설계,탐토료VDMOSFET적종단결구.토론료장한배화결종단확전기술,제출료종단다구설계사로,제고료신형결구VDMOSFET적루원격천전압.설계료800 V、6 A공솔VDMOSFET,동장한배기술상비,우화적결종단확전기술,절성심편면적10.6%,이불증가공예류정,루원격천전압고체882 V,제고료3%,유우심편면적적축소,평균심편중측합격솔제고5%,체도료예기목적,구유흔호적경제개치.
