人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
2期
326-329,345
,共5页
曾体贤%赵北君%朱世富%何知宇%卢大洲%陈宝军%唐世红
曾體賢%趙北君%硃世富%何知宇%盧大洲%陳寶軍%唐世紅
증체현%조북군%주세부%하지우%로대주%진보군%당세홍
CdSe单晶%气相生长%VUVG法%性能表征
CdSe單晶%氣相生長%VUVG法%性能錶徵
CdSe단정%기상생장%VUVG법%성능표정
采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达26 mm×45 mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论.采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰.晶锭密度为5.74 g/cm3,与理论计算值接近.退火处理后的晶片在1000～7000 cm-1 红外波段范围内透过率达到70%.采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件.
採用垂直無籽晶氣相法(VUVG)生長齣呎吋達26 mm×45 mm的CdSe單晶體,對CdSe晶體的穩態氣相生長速率進行瞭深入討論.採用氣相升華法提純後的CdSe多晶原料的X射線粉末衍射譜與PDF卡片值(65-3436)吻閤,生長齣的單晶體{100}和(110)麵XRD衍射峰尖銳,無雜峰,且{100}麵齣現3級衍射峰.晶錠密度為5.74 g/cm3,與理論計算值接近.退火處理後的晶片在1000～7000 cm-1 紅外波段範圍內透過率達到70%.採用VUVG法生長的CdSe單晶體,結晶性能好、結構緻密、呎吋大和紅外透過率高,可用于製備紅外非線性光學器件.
채용수직무자정기상법(VUVG)생장출척촌체26 mm×45 mm적CdSe단정체,대CdSe정체적은태기상생장속솔진행료심입토론.채용기상승화법제순후적CdSe다정원료적X사선분말연사보여PDF잡편치(65-3436)문합,생장출적단정체{100}화(110)면XRD연사봉첨예,무잡봉,차{100}면출현3급연사봉.정정밀도위5.74 g/cm3,여이론계산치접근.퇴화처리후적정편재1000～7000 cm-1 홍외파단범위내투과솔체도70%.채용VUVG법생장적CdSe단정체,결정성능호、결구치밀、척촌대화홍외투과솔고,가용우제비홍외비선성광학기건.
